电容值：4.7μF
　　额定电压：200V
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　电容容差：±20%
　　封装尺寸：1812（4532公制）
　　端接类型：标准端子
　　绝缘电阻：1000MΩ min
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计

KMG200VB4R7M8X11LL 具有优异的温度稳定性，其X7R电介质材料确保在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%。这种稳定性使其非常适合在温度波动较大的环境中使用，如工业控制系统和汽车电子设备。
　　该电容器的设计注重低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），从而提高了其在高频下的性能。这使得KMG200VB4R7M8X11LL能够有效滤除高频噪声，并在开关电源、DC-DC转换器等应用中提供良好的去耦效果。
　　此外，KMG200VB4R7M8X11LL采用了高可靠性结构，具有良好的机械强度和抗热冲击能力。其标准端接设计确保了与PCB的良好焊接连接，减少了因焊接不良引起的故障风险。同时，该电容器符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，符合环保要求。
　　在电气性能方面，KMG200VB4R7M8X11LL具有较高的绝缘电阻（≥1000MΩ），确保在长时间使用过程中不会出现明显的漏电流问题。其±20%的容差范围也使其在实际应用中更加灵活，可以适应不同的电路设计需求。

KMG200VB4R7M8X11LL 多层陶瓷电容器广泛应用于各种电子设备和系统中。在工业自动化领域，它可以作为电源去耦电容，用于稳定电源电压并减少高频噪声的影响。在通信设备中，该电容器可用于射频（RF）电路的滤波和耦合，提高信号传输的质量。
　　在汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和电池管理系统（BMS），KMG200VB4R7M8X11LL能够提供可靠的电容支持，确保电子控制模块在恶劣的工作环境中稳定运行。此外，该电容器还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，在这些设备中起到电源管理、信号处理和电磁干扰（EMI）抑制的作用。
　　由于其高可靠性和优异的温度稳定性，KMG200VB4R7M8X11LL也非常适合用于医疗电子设备、航空航天系统和军事装备等对可靠性要求极高的应用场合。在这些领域中，该电容器能够为关键电路提供稳定的电容支持，确保系统的正常运行。

Kemet KMG200VB4R7M8X11LL 的替代型号包括 TDK 的 C2012X5R1H475K125AB 和 Murata 的 GRM21BR61H475KA01L。这些型号在电容值、额定电压和封装尺寸方面与 KMG200VB4R7M8X11LL 类似，适用于相同的应用场景。