时间：2025/9/10 7:17:47
阅读：9
KMG100VB1R0M5X11LL 是一款功率MOSFET模块，通常用于高功率和高频率的应用。该模块采用先进的半导体技术和高效的封装设计，以确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定性能。其内部结构包含多个MOSFET并联，能够提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。该模块广泛应用于工业电源、电动汽车、可再生能源系统和电力电子转换设备中。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ
封装形式：双列直插式封装（DIP）
工作温度范围：-55°C至+175°C
热阻(Rth)：0.25K/W
漏源击穿电压：100V
栅极驱动电压：10V
KMG100VB1R0M5X11LL具有极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其采用的先进封装技术，如双面散热设计，有助于提高热管理性能，延长器件的使用寿命。此外，该模块具备较高的电流密度和优异的动态性能，使其在高频开关应用中表现出色。模块内部集成多个MOSFET器件，并通过优化布局减少寄生电感，从而降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，它还具备良好的短路耐受能力和过热保护特性，确保在极端工况下的可靠性。
该模块广泛应用于高功率密度的电力电子系统中，如电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及储能系统等。由于其优异的电气和热性能，KMG100VB1R0M5X11LL也非常适合用于需要高可靠性和高效能的通信电源和服务器电源系统。
KMG100VB1R0M5X11LL的替代型号包括KMG100VB1R2M5X11LL、KMG100VB0R8M5X11LL等，这些型号在性能和封装上具有相似性，可根据具体应用需求进行选择。
