时间：2025/9/10 8:50:06
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KMG100VB10RM6X11LL 是一款由英飞凌（Infineon）推出的基于碳化硅（SiC）技术的功率模块，广泛应用于高效率、高功率密度的电力电子系统中。该模块集成了多个SiC MOSFET器件，适用于工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备等场景。
类型：碳化硅（SiC）功率模块
额定电压：1200V
额定电流：100A
封装形式：双面散热（双DIP）
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
短路耐受能力：6倍额定电流，持续时间可达10μs
热阻（Rth）：0.35K/W（典型值）
封装尺寸：约62mm x 109mm x 5mm
绝缘等级：符合IEC 60664-1标准，基本绝缘
KMG100VB10RM6X11LL采用了先进的SiC MOSFET技术，具有极低的导通和开关损耗，从而显著提升系统效率并减少散热需求。该模块具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并且支持双面散热结构，提高了散热效率。
此外，模块内置的短路保护能力确保在异常工况下仍能保持稳定运行，增强了系统的可靠性和安全性。其低电感封装设计有助于减少高频开关时的电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
模块的封装符合RoHS标准，适用于自动贴片工艺，便于大批量生产和组装。该模块适用于高功率密度设计，特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业与汽车应用。
KMG100VB10RM6X11LL 主要用于高性能功率转换系统，如工业伺服驱动器、电动汽车车载充电器（OBC）、快速直流充电站、光伏逆变器、储能系统以及高压DC-DC转换器等应用场景。其高效率和高可靠性也使其成为新能源汽车动力系统和智能电网设备的理想选择。
SKM100GB12T4agHCD, FS100R12W1T4_B35
