电容值：1000pF (1nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：35V DC
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：1206 (3.2mm x 1.6mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10000 MΩ
　　损耗角正切（Tanδ）：≤0.025
　　温度系数：±15% (X7R)
　　安装类型：表面贴装

KMF35VB102M12X25LL 多层陶瓷电容器采用了先进的陶瓷介质材料和电极技术，确保了其在不同工作条件下的稳定性能。该电容器在宽温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持较高的电容稳定性，其 X7R 介质材料的温度系数为 ±15%，适用于需要中等精度和稳定性的电路。此外，该电容器的损耗角正切（Tanδ）小于等于 0.025，表明其具有较低的内部能量损耗，适合高频应用。
　　该电容器的额定电压为 35V DC，能够承受较高的直流电压，适用于多种电源管理应用。其绝缘电阻高达 10000 MΩ，确保在高阻抗电路中的可靠性。同时，该电容器具有良好的抗湿性和抗热冲击性能，适合在恶劣环境中使用。由于其封装尺寸为 1206（3.2mm x 1.6mm），适合表面贴装工艺，便于自动化生产并节省 PCB 空间。

KMF35VB102M12X25LL 主要应用于需要稳定电容值和高可靠性的电路中。常见的应用包括开关电源、DC-DC 转换器、滤波电路、信号耦合与旁路、音频放大器、通信设备以及工业控制系统。此外，由于其较高的额定电压和良好的温度稳定性，它也常用于汽车电子、医疗设备、消费电子产品以及自动化控制系统中。该电容器的高绝缘电阻和低损耗特性使其非常适合用于精密模拟电路和射频（RF）电路中的滤波和去耦应用。

C3216X7R35VBK010, GRM3195C1H35VBK01L, CL21B102KBQNNNE