电容值：2200 pF（222）
　　容差：±20%
　　额定电压：100V
　　介质材料：陶瓷
　　封装尺寸：1206（3216 公制）
　　温度系数：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　ESR：低 ESR（具体数值需参考数据手册）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

KMF10VB222M12X20LL 具备一系列出色的电气和机械特性，适用于多种应用场景。其 X7R 温度系数保证了在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内，电容值的变化不超过 ±15%，确保了电路的稳定性。该电容器采用了多层陶瓷结构，具有良好的高频特性，能够在高频电路中提供稳定的性能。
　　此外，该器件具有优异的抗湿性和抗热冲击能力，适用于恶劣环境下的工业设备和汽车电子系统。由于其低 ESR 和 ESL 特性，KMF10VB222M12X20LL 在电源去耦、滤波和信号耦合等应用中表现出色，有助于减少电路中的噪声和纹波。
　　该电容器采用标准的 SMD 封装形式（1206），兼容自动贴片工艺，便于大规模生产与组装。KEMET 为该系列产品提供了严格的质量控制，确保其在各种应用中具备高可靠性和长寿命。

KMF10VB222M12X20LL 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业自动化控制系统、汽车电子（如发动机控制单元、车载娱乐系统）、通信设备（如基站、路由器）、电源管理电路（如 DC-DC 转换器、稳压器）、消费电子产品（如智能手机、平板电脑）以及医疗设备等。
　　在电源管理电路中，该电容器可用于输入/输出滤波、去耦和旁路功能，以提高系统的稳定性和效率。在射频和高速数字电路中，它能够有效抑制高频噪声，确保信号完整性。此外，在汽车电子系统中，该电容器能够承受较高的温度变化和机械振动，满足严格的车规级要求。

KMF10VB222M12X20L、C222C222M1G5TA、C3216X7R1H222M、CL21B222MBQNNNE