电容值：4.7 μF
　　 容差：±20%
　　 额定电压：63V
　　 介质材料：X7R
　　 封装尺寸：1210（公制3225）
　　 温度范围：-55°C 至 +125°C
　　 ESR：低（典型值小于 10 mΩ）
　　 工作频率范围：适用于高频率应用

KME63VB4R7M 是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有以下显著特性：
　　首先，它具备高容量密度，能够在较小的封装尺寸下实现4.7μF的电容量，非常适合空间受限的设计需求。
　　其次，该电容器使用X7R陶瓷介质，其温度稳定性非常好，在-55°C到+125°C范围内电容值变化小于±15%，适用于要求严苛的工作环境。
　　此外，KME63VB4R7M 的低等效串联电阻（ESR）特性使其在高频应用中具有良好的滤波性能，能够有效降低电源噪声和纹波，提高系统的稳定性和可靠性。
　　该电容器还具有良好的机械强度和耐焊接热性能，适用于自动化贴片工艺，提高了生产效率和焊接质量。
　　在电性能方面，KME63VB4R7M 的绝缘电阻高、漏电流低，能够满足高精度电路对电容器的要求。同时，它还具有良好的自愈特性，在局部击穿后仍能继续正常工作，延长了使用寿命。

KME63VB4R7M 广泛应用于多种电子设备中，主要用作去耦电容、旁路电容或滤波电容。
　　在电源管理电路中，该电容器可用于输入/输出滤波，有效降低电源噪声，提高电源转换效率。
　　在数字电路中，KME63VB4R7M 可作为去耦电容，为IC提供稳定的局部电源，减少高频噪声对系统的影响。
　　此外，该电容器也常用于射频（RF）电路中，作为旁路或耦合电容，提供良好的高频响应，确保信号传输的稳定性。
　　由于其优异的温度特性和可靠性，KME63VB4R7M 也广泛应用于汽车电子、工业自动化控制、通信设备以及消费类电子产品中。

TDK C3225X7R2H475K230AC
　　 Murata GRM32ER72H475KA88L
　　 Yageo CC0805KRX7R7BB475
　　 AVX S21210C475MA
　　 Vishay VJ1210Y475KX
　　 Samsung CL32B475KCNSNN