电容值：220nF (224)
　　容差：±20% (M)
　　额定电压：32V
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210 (3216 公制)
　　端接类型：Ni/Sn
　　绝缘电阻：10,000 MΩ Min
　　损耗因数（DF）：Max 2.5%
　　温度系数：±15%

KMC101E224M32N0T00 是一款高性能多层陶瓷电容器，其采用了 X7R 介质材料，能够在 -55°C 到 +125°C 的宽温度范围内保持电容值的稳定性。这种电容器的容差为 ±20%，适用于对电容精度要求不特别严格的场景。其额定电压为 32V，可以应用于中等电压环境下的滤波、去耦和旁路电路。封装尺寸为 1210（公制 3216），适合表面贴装工艺，便于自动化生产和 PCB 布局。端接材料为镍/锡（Ni/Sn），具有良好的焊接性能和耐腐蚀性。
　　该型号还具有较低的损耗因数（DF），最大为 2.5%，这意味着它在工作过程中能量损耗较小，适用于对能效有一定要求的电路。此外，其绝缘电阻最低为 10,000 MΩ，表明其具有良好的绝缘性能，能有效防止漏电流的发生。KMC101E224M32N0T00 的设计使其适用于多种工业、消费类和汽车电子设备中，特别是在需要较高稳定性和可靠性的应用场合。

该型号电容器广泛应用于电源管理电路、DC/DC 转换器、滤波电路、去耦电路以及各种需要中等容量和电压稳定性的电子系统中。由于其良好的温度稳定性和可靠性，KMC101E224M32N0T00 也常用于汽车电子、工业控制设备、通信模块以及消费类电子产品中。

TDK C3216X7R32A224M160AA
　　Murata GRM32ER32A224MA12D