时间：2025/9/11 15:33:39
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KMB075N75P 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，专为高功率应用设计。这款MOSFET采用先进的技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于工业电源、汽车电子以及高性能电源管理系统等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：750V
最大漏极电流（ID）：75A
导通电阻（RDS(on)）：约0.12Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：约160nC
封装类型：TO-247
KMB075N75P MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗并提高系统效率。
该器件具有优异的热性能，能够在高功率条件下保持稳定的运行，延长使用寿命。
此外，其高耐压特性使其适用于高电压应用，如工业逆变器、电动汽车充电系统以及光伏逆变器等。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下保持稳定工作，提高系统的可靠性。
封装形式为TO-247，便于散热并支持高电流承载能力，适合大功率应用需求。
KMB075N75P 常用于工业电源、电动车辆的充电模块、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及高功率开关电源等应用场景。
TK15A75D, IRFP4668, STW15NK90Z, FCP75N75
