KMB054N40DC 时间：2025/9/12 10:10:04 阅读：39

KMB054N40DC 是一款由韩国制造商KEC（Korea Electronics Corporation）推出的N沟道功率MOSFET，具有高耐压和低导通电阻的特性，适用于多种电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.54Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KMB054N40DC 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的开关速度，从而减少了导通损耗和开关损耗。
　　该器件具备优良的热稳定性，能够在较高的工作温度下稳定运行，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
　　其400V的漏源电压使其适用于中高功率的电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器等。　　此外，KMB054N40DC的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+20V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。

应用

KMB054N40DC 常用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，适用于AC-DC电源适配器、充电器、LED驱动电源等设备。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高边或低边开关，实现高效的电压转换。
　　由于其高耐压特性，该器件也适用于工业控制、电机驱动、智能电表等需要中高功率开关能力的场合。
　　此外，KMB054N40DC还可用于逆变器、UPS（不间断电源）、变频器等功率电子系统中，作为关键的功率控制元件。