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KMB054N40DC 发布时间 时间:2025/9/12 10:10:04 查看 阅读:34

KMB054N40DC 是一款由韩国制造商KEC(Korea Electronics Corporation)推出的N沟道功率MOSFET,具有高耐压和低导通电阻的特性,适用于多种电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):400V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):5A
  功耗(Pd):50W
  导通电阻(Rds(on)):0.54Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KMB054N40DC 采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的开关速度,从而减少了导通损耗和开关损耗。
  该器件具备优良的热稳定性,能够在较高的工作温度下稳定运行,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  其400V的漏源电压使其适用于中高功率的电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动器等。  此外,KMB054N40DC的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的+10V至+20V驱动电压,兼容多种驱动电路设计。

应用

KMB054N40DC 常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,适用于AC-DC电源适配器、充电器、LED驱动电源等设备。
  在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为高边或低边开关,实现高效的电压转换。
  由于其高耐压特性,该器件也适用于工业控制、电机驱动、智能电表等需要中高功率开关能力的场合。
  此外,KMB054N40DC还可用于逆变器、UPS(不间断电源)、变频器等功率电子系统中,作为关键的功率控制元件。

替代型号

KMB054N40CP, KSC2460, 2SK2460, IRF740, FQP5N40

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