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KMA4D5P20X 发布时间 时间:2025/9/12 12:38:40 查看 阅读:3

KMA4D5P20X是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率的功率转换应用。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高开关性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及其他需要高效功率管理的场合。其封装形式为SOP(小外形封装),便于在紧凑的PCB设计中使用。KMA4D5P20X支持较高的电流负载能力,并具备良好的热稳定性,使其在多种工业和消费类电子设备中得到了广泛应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏极-源极电压(VDS):20V
  最大栅极-源极电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(on)):20mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP-8

特性

KMA4D5P20X MOSFET采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术,具有极低的导通电阻,从而降低了导通损耗并提高了整体效率。该器件的栅极驱动电压较低,适用于各种低压应用,特别是在电池供电设备中,有助于延长电池寿命。其高开关速度特性使得KMA4D5P20X非常适合高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
  KMA4D5P20X还具备良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定工作。SOP-8封装设计不仅节省空间,而且易于焊接和组装,适合自动化生产线使用。此外,该MOSFET的低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)特性进一步减少了开关损耗,提高了系统效率。
  在保护方面,KMA4D5P20X具备过温保护和过流保护功能,能够在极端工作条件下防止器件损坏。这些特性使其成为高可靠性应用的理想选择,例如工业自动化设备、电源管理系统和便携式电子设备。

应用

KMA4D5P20X MOSFET广泛应用于多种功率管理领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、电源分配系统以及各种便携式电子设备中的功率开关。此外,该器件也适用于LED照明驱动电路、工业控制设备、智能电表以及消费类电子产品中的高效电源管理模块。由于其高效率和高可靠性,KMA4D5P20X特别适合需要长时间稳定运行的工业和通信设备。

替代型号

KMA4D5P20X的替代型号包括KMA4D5P20T和KMA4D5P20L。这些型号在电气特性、封装形式和应用领域上与KMA4D5P20X相似,可根据具体需求选择使用。

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