KMA3D6N20SA 时间：2025/9/12 13:51:00 阅读：44

KMA3D6N20SA 是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET器件，属于其CoolMOS?系列的一部分。这款MOSFET采用了先进的超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.1Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为16nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KMA3D6N20SA 的核心特性之一是其采用了英飞凌的CoolMOS?技术，这项技术显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。
　　此外，该MOSFET具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并具备良好的散热能力，有助于减少对散热器的需求。
　　该器件的封装形式为TO-252（DPAK），这种封装结构紧凑，便于在PCB上安装，并具有良好的机械稳定性和电气性能。
　　由于其高击穿电压（200V）和较低的Rds(on)，KMA3D6N20SA适用于多种高电压、中等功率的应用场景，如电源转换器、马达控制、工业自动化系统等。
　　该器件还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用。

应用

KMA3D6N20SA 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、马达驱动器以及工业控制系统等需要高效功率转换的场合。
　　此外，该MOSFET也适用于光伏逆变器、电池管理系统（BMS）以及新能源汽车中的辅助电源系统等新兴领域。
　　其优异的热管理和高效率特性，使其成为设计高功率密度设备的理想选择，例如服务器电源、电信设备电源和家用电器中的功率控制模块。