KMA3D6N20SA 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET器件,属于其CoolMOS?系列的一部分。这款MOSFET采用了先进的超结(Super Junction)技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和优异的热性能,适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):200V
最大漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):典型值为2.1Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):典型值为16nC
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
KMA3D6N20SA 的核心特性之一是其采用了英飞凌的CoolMOS?技术,这项技术显著降低了器件的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体效率。
此外,该MOSFET具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并具备良好的散热能力,有助于减少对散热器的需求。
该器件的封装形式为TO-252(DPAK),这种封装结构紧凑,便于在PCB上安装,并具有良好的机械稳定性和电气性能。
由于其高击穿电压(200V)和较低的Rds(on),KMA3D6N20SA适用于多种高电压、中等功率的应用场景,如电源转换器、马达控制、工业自动化系统等。
该器件还具有较高的可靠性和较长的使用寿命,适用于要求苛刻的工业和汽车电子应用。
KMA3D6N20SA 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、马达驱动器以及工业控制系统等需要高效功率转换的场合。
此外,该MOSFET也适用于光伏逆变器、电池管理系统(BMS)以及新能源汽车中的辅助电源系统等新兴领域。
其优异的热管理和高效率特性,使其成为设计高功率密度设备的理想选择,例如服务器电源、电信设备电源和家用电器中的功率控制模块。
IPD6N20C, STW6NK20Z, FQP6N20C