时间：2025/6/13 19:25:59
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KM8V9001JM-B813 是一款由韩国半导体公司设计和制造的高速 SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该型号属于 KM8 系列，主要应用于需要高读写速度和低延迟的场景，例如网络设备、工业控制以及高性能计算领域。
这款芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，具备高可靠性、低功耗和快速访问时间的特点。其封装形式为 BGA（球栅阵列），适合大规模集成应用。
容量：1Mb (128K x 8)
工作电压：1.8V ± 0.1V
访问时间：10ns
数据宽度：8位
封装形式：BGA-84
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O 电压：1.8V
接口类型：同步
引脚数：84
KM8V9001JM-B813 提供了卓越的性能和稳定性。它支持高达 100MHz 的时钟频率，并具有极低的访问延迟，能够满足实时系统的需求。
此外，该芯片内置了自动功率管理功能，在空闲状态下可以显著降低能耗。其高密度封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
这款 SRAM 还具有出色的电磁兼容性（EMC），确保在复杂电磁环境下依然能稳定运行。同时，它支持多种模式设置，包括掉电保护和软复位功能，增强了系统的灵活性和可靠性。
通过优化的布局和布线技术，KM8V9001JM-B813 能够减少信号干扰并提高整体数据传输效率。
KM8V9001JM-B813 广泛应用于需要快速数据处理的场合，如高端路由器、交换机等网络通信设备。
此外，它也适用于工业自动化控制系统中的缓存模块，用于暂存关键任务数据以加快响应速度。
在医疗成像设备中，这款 SRAM 可以为图像处理提供必要的高速存储支持。同时，它还可作为协处理器或 FPGA 的外部存储扩展使用，进一步提升嵌入式系统的性能。
KM8V9001JP-C715
KM8V9001JN-D813
