类型：DDR SDRAM
　　容量：256Mbit (16M x 16)
　　组织结构：4 Banks x 16Mbit
　　数据宽度：16位
　　工作电压：2.5V ± 0.25V
　　时钟频率：最高133MHz（对应6ns时钟周期）
　　访问时间：约6ns
　　封装类型：TSOP-II, 54引脚
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　输入电平：LVTTL
　　突发长度：1, 2, 4, 8 可编程
　　突发类型：顺序或交错
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　数据掩码功能：支持DQM信号控制读写屏蔽
　　初始化时序：需遵循特定上电配置流程，包括预充电、模式寄存器设置等

KM736V595AT-6具有优异的性能表现和稳定的运行特性，特别适合需要中等容量高速内存的应用场景。其核心优势之一是采用了双倍数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而使有效数据传输速率翻倍。例如，在133MHz时钟频率下，理论带宽可达266MT/s（百万次传输每秒），满足当时多数嵌入式系统对内存吞吐量的需求。该芯片内部集成了四个独立的Bank，允许交叉访问不同的存储区域，从而显著提升整体访问效率并减少等待时间。这种多Bank架构使得在一个Bank进行预充电的同时，其他Bank仍可执行读写操作，提高了并发处理能力。
　　为了保证系统稳定性，KM736V595AT-6支持多种刷新机制。自动刷新模式由外部控制器定期触发，用于维持存储单元中的电荷；而自刷新模式则可在系统低功耗状态下启用，由内部电路自主完成刷新操作，极大降低了功耗，适用于待机或休眠状态下的数据保持。此外，该芯片还具备可编程的突发长度（Burst Length）和突发类型（Sequential/Interleaved）选项，用户可根据实际应用需求灵活配置，优化数据流的连续性和访问效率。
　　在接口设计方面，KM736V595AT-6采用LVTTL电平标准，兼容大多数传统逻辑器件和微处理器，便于系统集成。它支持命令流水线操作，允许在当前命令尚未完成时提前发送下一个命令，提升了总线利用率。同时，DQM（Data Input/Output Mask）信号可用于屏蔽读写过程中的部分数据位，实现精细的数据控制。其TSOP-II封装形式具有良好的散热性能和焊接可靠性，适用于回流焊工艺的大批量生产。虽然该芯片不支持现代高级电源管理功能（如深度掉电模式），但在其发布时代已属于较为先进的产品，具备出色的性价比和稳定性。

KM736V595AT-6主要用于各类需要中等容量高速内存支持的电子系统中。典型应用领域包括网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中用作数据包缓冲区或临时存储转发信息。在工业控制系统中，该芯片常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）设备和运动控制卡中，作为程序运行时的工作内存，支撑实时任务调度和数据采集处理。此外，在部分早期的数字视频设备（如IP摄像头、DVR硬盘录像机）中，KM736V595AT-6也被用来缓存图像帧数据，以应对视频编码过程中产生的瞬时高带宽需求。
　　由于其工作电压为2.5V且具备良好的温度适应性，该芯片也常见于电信基础设施设备中，例如基站控制板、光传输模块和接入网关等，这些设备通常要求元器件具备较长的生命周期和稳定的供货保障。在医疗仪器、测试测量设备和车载信息终端中也有一定应用，尤其是在需要兼容旧有设计或进行设备维修替换的场合。值得注意的是，随着DDR2及以上标准的普及，KM736V595AT-6已逐渐退出主流市场，但在工业设备维护、备件替换和产线延续性生产中仍具实用价值。对于从事逆向工程或老旧系统升级的技术人员而言，了解该芯片的时序规范和驱动方式仍然十分重要。

K4H561638F-MCB3
　　IS42S16100E-6BLI