时间：2025/11/13 20:00:37
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KM732V696LT-15是一款由三星（Samsung）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于SDR SDRAM（同步动态随机存取存储器）系列。该芯片广泛应用于需要中等容量和稳定性能的嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机模块中。其封装形式为TSOP-II（Thin Small Outline Package），适用于对空间有一定要求但不需要最新高速内存技术的应用场景。KM732V696LT-15的命名遵循了三星传统的DRAM命名规则，其中‘K’代表存储器产品，‘M’表示DRAM类型，‘732’指明其内部组织结构，而‘V696’进一步标明密度与配置，‘LT’代表低功耗薄型封装，‘15’则表示存取速度为15ns，对应的工作频率约为66MHz。这款芯片采用3.3V供电电压，符合JEDEC标准的SDRAM接口规范，支持突发模式读写操作，并具备自刷新功能以降低待机功耗。由于其成熟的技术和稳定的供货历史，KM732V696LT-15在一些特定行业领域仍具有一定的应用价值，尤其是在维护或替换老旧设备中的内存组件时。
型号：KM732V696LT-15
制造商：Samsung
器件类型：SDR SDRAM
容量：64Mbit（8MB）
组织结构：4M x 16位
工作电压：3.3V ± 0.3V
最大存取时间：15ns
时钟频率：最高66MHz
封装类型：TSOP-II，48引脚
工作温度范围：0°C 至 70°C
数据总线宽度：16位
刷新周期：自动/外部可编程
电源电流：典型值约50mA（工作状态）
KM732V696LT-15作为一款标准的SDR SDRAM芯片，具备良好的兼容性和稳定性，适合多种嵌入式应用场景。其核心特性之一是采用了同步接口设计，使内存操作与时钟信号保持同步，从而提高了数据传输的可控性与可靠性。这种架构允许控制器精确预测内存响应时间，避免了传统异步DRAM中存在的等待周期问题，提升了系统整体效率。该芯片支持多种突发传输模式，包括突发长度为1、2、4、8以及整页模式，用户可根据实际需求配置最合适的读写方式，优化带宽利用率。
为了适应不同系统环境的需求，KM732V696LT-15集成了多种低功耗管理机制。例如，在空闲状态下可通过CKE（时钟使能）信号关闭内部时钟，进入低功耗运行模式；同时支持自刷新（Self-refresh）功能，使得在系统休眠期间仍能维持数据完整性而无需外部刷新命令，显著降低了静态功耗。此外，该芯片具有较高的抗干扰能力，输入输出引脚均设计有噪声抑制电路，确保在复杂电磁环境中也能稳定工作。
在物理设计方面，TSOP-II封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能和电气特性，适合高密度PCB布局。所有控制信号均在时钟上升沿采样，保证了时序的一致性。内部地址多路复用技术减少了引脚数量，简化了外部连接。尽管该芯片基于较早一代的SDR技术，不支持DDR或更高版本的双倍数据率传输，但在成本敏感且对速度要求不高的应用中仍然表现出色。其成熟的制造工艺也带来了较高的良品率和长期供货保障，特别适用于工业自动化、医疗仪器、网络通信设备等需要长期稳定运行的场合。
KM732V696LT-15主要用于各类需要中等容量RAM的嵌入式系统和工业电子设备中。常见应用包括工控主板、POS终端、打印机控制器、网络交换机缓存、视频监控设备以及老式PC104模块等。由于其工作电压为3.3V且功耗较低，也适合用于一些便携式工业手持设备中。此外，该芯片常被用于替代停产的同规格SDRAM器件，作为系统升级或维修时的兼容替换方案。在教育实验平台和开发板中，因其接口简单、时序清晰，也被用作学习SDRAM工作原理的教学元件。
IS42S16400F-6BLI
IS42S16400J-6BLI
MT48LC4M16A2P-6A
