类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：8Gb（1GB）
　　组织结构：8Gbit (512M x 16)
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.8V/1.1V
　　接口类型：x16
　　最大时钟频率：1600MHz（双倍数据速率等效3200Mbps/pin）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90-ball
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：标准自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式
　　数据预取：8n-Prefetch Architecture
　　功能模式：支持 burst read/write 操作、温度补偿自刷新（TCSR）、深度掉电模式等

KM718V787T-8采用了LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）标准，具备出色的能效比和高速数据传输能力，是专为移动计算平台设计的先进内存解决方案。其核心架构基于8n-prefetch技术，结合差分时钟输入（CK_t/CK_c）与双向选通（DQS_t/DQS_c）机制，确保了在高频下仍能保持信号完整性与同步精度。该芯片支持最高3200Mbps的数据传输速率（每引脚），通过双通道x16配置可进一步提升总带宽，满足高分辨率显示、大型游戏及AI运算等高负载场景的需求。
　　为了降低功耗，KM718V787T-8集成了多种节能模式，包括自动刷新、自刷新、部分阵列自刷新（PASR）以及深度掉电模式（Deep Power Down Mode）。这些功能可根据系统负载动态调整内存状态，在待机或轻载情况下显著减少电流消耗。此外，芯片内部采用精细的电源管理电路，支持核心电压（VDD）与I/O电压（VDDQ）分离供电，分别工作在1.8V和1.1V，进一步优化整体能耗表现。
　　该器件具备优异的可靠性和抗干扰能力，内置可编程驱动强度控制、ZQ校准功能以及写入均衡化支持，有效提升信号质量并适应不同PCB布线条件。同时，其支持温度传感器输出和温度补偿自刷新（TCSR）功能，能够根据芯片内部温度动态调整刷新率，在高温环境下保障数据完整性的同时避免不必要的功耗浪费。所有控制命令均通过时钟边沿触发，保证操作的精确与时序一致性。
　　在制造工艺方面，KM718V787T-8使用先进的CMOS工艺实现高集成度与低漏电特性，芯片体积小巧，适合空间受限的便携设备。其90球FBGA封装具有良好的热性能和机械稳定性，便于自动化贴装与回流焊接。整体设计符合RoHS环保标准，并通过多项工业级可靠性测试，确保长期使用的稳定性与耐用性。

KM718V787T-8广泛应用于各类高性能移动设备中，尤其是在智能手机和平板电脑领域占据重要地位。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片常被用作应用处理器的主内存，支持流畅的多任务切换、高清视频播放、大型应用程序运行以及复杂的图形渲染任务。在搭载Android或iOS系统的高端手机中，多个KM718V787T-8芯片可通过堆叠封装（PoP, Package on Package）方式直接置于SoC之上，缩短走线长度，提高信号完整性和系统集成度。
　　除了消费类电子产品外，该器件也适用于车载信息娱乐系统（IVI）、工业手持终端、智能监控设备以及嵌入式计算平台。在这些应用中，稳定的内存性能对于系统响应速度和数据处理效率至关重要。例如，在行车记录仪或多摄像头安防设备中，KM718V787T-8可以支持实时视频编码与缓存；在工业PDA或条码扫描器中，则能保障操作系统快速启动和数据库高效查询。
　　此外，随着边缘AI和本地机器学习推理的发展，越来越多的终端设备需要本地大容量高速缓存来支撑神经网络模型的运行，KM718V787T-8凭借其高吞吐量和低功耗优势，也成为此类智能设备的理想选择之一。无论是用于图像识别、语音处理还是传感器数据分析，该芯片都能提供可靠的内存支持，助力设备实现更智能的功能体验。