型号：KM6164002J-20
　　制造商：Samsung
　　类型：高速CMOS SRAM
　　存储容量：64K x 4位（256Kbit）
　　组织结构：65,536字 × 4位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：20ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：28-pin DIP 或 SOIC
　　引脚数：28
　　数据总线宽度：4位
　　地址输入：A0-A12（13位）
　　控制信号：CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
　　输出类型：三态CMOS/LVTTL
　　功耗（典型值）：120mW（活动模式）
　　待机功耗：50μA @ Vcc = 5V
　　存储单元技术：6T静态单元
　　可靠性：高抗干扰设计，无刷新需求

KM6164002J-20作为一款高速CMOS静态随机存取存储器，具备多项关键特性以满足复杂电子系统的需求。首先，其20ns的快速访问时间使其能够支持高达50MHz的操作频率，适用于需要快速响应的数据缓存和临时存储场景。这一性能水平在同类异步SRAM产品中处于中高端行列，尤其适合与高速微处理器或DSP协同工作，减少等待周期，提升整体系统效率。其基于CMOS工艺的设计不仅保证了高速度，还实现了相对较低的动态功耗，相较于早期的双极型SRAM更加节能。
　　其次，该器件采用标准的64K x 4位组织结构，共13条地址线（A0-A12）和4条数据线（I/O0-I/O3），逻辑接口清晰且易于连接。控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持全解码地址驱动，允许在多芯片系统中灵活扩展存储容量。通过组合多个KM6164002J-20芯片，可以构建更宽的数据总线（如8位或16位系统），满足不同架构的设计需求。其三态输出功能可在总线共享环境中实现无缝切换，避免信号冲突。
　　再者，该芯片具备出色的环境适应性和稳定性。工作温度范围为商业级0°C至+70°C，适用于大多数室内工业和消费类应用。所有输入引脚均内置上拉或下拉电阻以及静电放电（ESD）保护结构，增强了抗噪能力和现场可靠性。即使在电源波动或电磁干扰较强的环境下，也能保持数据完整性。此外，其CMOS制造工艺赋予其自然的低漏电流特性，在待机或非激活状态下功耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。
　　最后，KM6164002J-20采用JEDEC标准化封装，无论是28引脚DIP还是SOIC版本，都便于自动化贴装和手工焊接，兼容主流PCB布局规则。这种广泛的封装可用性提高了设计灵活性，并有利于维修替换。尽管该型号已逐步进入停产阶段，但由于其长期使用积累的技术文档齐全、替代方案明确，仍在许多存量设备维护中发挥重要作用。

KM6164002J-20主要用于各类需要高速、非刷新型存储器的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制系统中的PLC数据缓冲区、通信设备如路由器和交换机的帧缓存、测试与测量仪器的数据暂存模块、老式激光打印机和绘图仪的图像缓冲存储，以及某些嵌入式控制器中用于程序变量或中间计算结果的临时存放。由于其并行接口特性，它常被用作微处理器系统的外部高速缓存，特别是在没有片上大容量RAM的8位或16位MCU系统中。此外，该芯片也出现在一些医疗监控设备、POS终端和游戏机主板中，承担实时数据交换任务。其稳定性和成熟度使其成为许多长期服役设备的关键组件之一。

CY7C168-20JC
　　IS61C256-20HL
　　IDT71V416SA20P
　　MCM6164002F-20