型号：KM44C256CJ-6
　　类型：FPM DRAM
　　容量：4 Mbit
　　组织结构：256K x 16
　　工作电压：5V ± 0.5V
　　访问时间：60ns
　　封装形式：54-pin SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　刷新周期：8ms（典型）
　　最大刷新间隔：15.6μs（行刷新）
　　数据宽度：16位
　　芯片使能信号：CE#
　　输出使能信号：OE#
　　写使能信号：WE#
　　地址多路复用：A0-A11, RAS#, CAS#

KM44C256CJ-6作为一款典型的FPM DRAM器件，具备快速页模式访问能力，能够在连续读取同一行地址内的多个列地址时显著提升数据传输效率。在传统异步DRAM架构中，内存访问通过行地址选通（RAS#）和列地址选通（CAS#）分时复用地址总线完成。当一次行地址被激活后，在该行保持打开状态下，可以多次切换列地址进行读写操作，而无需重新加载行地址，这种机制称为“页模式”。KM44C256CJ-6正是利用这一特性来优化连续数据访问性能，尤其适用于图形显示缓冲、批量数据处理等需要连续内存读取的场合。
　　该芯片内部由存储阵列、地址锁存器、行/列译码器、灵敏放大器、刷新控制逻辑和I/O缓冲电路组成。为了维持数据完整性，它需要定期执行刷新操作，通常采用RAS-only刷新或CAS-before-RAS刷新方式，确保每个存储单元中的电容电荷不会因漏电而丢失。其60ns的访问时间在当时属于中高端水平，能够满足80486、Pentium早期处理器系统的内存需求。此外，该器件支持全静态操作，只要时钟或控制信号不发生变化，即可无限期保持数据状态，降低了系统设计的复杂性。
　　电气方面，KM44C256CJ-6采用+5V单电源供电，功耗相对较高，典型工作电流约为80mA，待机电流约40mA。虽然不具备低功耗模式，但在当时的系统设计中已属常见配置。其TTL电平兼容性使其可以直接连接微处理器的数据总线，无需额外的电平转换电路，简化了硬件设计。54引脚SOJ封装提供了良好的机械稳定性和热性能，适合表面贴装工艺，广泛用于PCB板级集成。
　　值得注意的是，由于该芯片已停产多年，目前市场上多为库存品或二手拆机件，使用时需注意老化、虚焊等问题。同时，由于现代替代方案如LPDDR或SRAM在性能和功耗上优势明显，KM44C256CJ-6仅限于特定维护场景使用。然而，对于复古计算爱好者、工业设备维修工程师而言，这类经典DRAM仍是不可或缺的关键元件。

KM44C256CJ-6主要应用于20世纪90年代的个人计算机主板作为主内存组件，尤其是在基于Intel 80486和早期Pentium处理器的系统中。这些系统通常将多颗此类16位宽DRAM芯片并联使用，构成32位或64位数据总线宽度，从而满足CPU的内存带宽需求。例如，在386/486时代的工控机、ATX主板或嵌入式控制器中，常可见到由8片或16片KM44C256CJ-6组成的内存模块，提供数MB级别的RAM空间。
　　此外，该芯片也广泛用于各类工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、数控机床控制板等，用于缓存程序代码、运行数据或I/O状态信息。在通信领域，部分老式路由器、交换机和电话交换机中也曾采用该型号作为帧缓冲或协议处理临时存储单元。
　　由于其可靠的性能和稳定的时序特性，KM44C256CJ-6还被用于医疗设备、测试仪器和军事电子系统中，特别是在那些设计寿命较长、升级周期缓慢的设备中。即使在今天，当这些老旧设备出现内存故障时，仍需寻找相同规格的替代品进行维修。因此，该芯片的应用价值更多体现在设备维护和备件更换层面，而非新产品开发。对于从事逆向工程、硬件修复或历史设备复原的技术人员来说，了解并掌握KM44C256CJ-6的应用特性具有重要意义。

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　　 "K4S25616C1-6,L",
　　 "MT4C25616CJ-6",
　　 "IS44C256J-60"
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