时间：2025/8/24 21:28:58
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KM4212IC8TR3 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。KM4212IC8TR3 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型电路中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.025Ω（在 VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KM4212IC8TR3 具有多个优异的电气和热性能特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作状态下，器件的功率损耗显著降低，从而提高系统效率并减少散热设计的复杂性。
其次，该MOSFET具备高耐压能力，最大漏源电压（VDS）可达60V，适用于多种中高功率电源转换应用。
此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V和10V），提高了与各种控制IC的兼容性。
该器件还具有良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
TO-252封装不仅便于表面贴装，而且具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
KM4212IC8TR3 主要应用于开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等领域。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适用于要求高效率和小尺寸设计的电源模块和功率管理系统。
IRFZ44N, FDP6030L, Si4410DY, AUIRF1310S
