型号：KM41C4000BJ-6
　　制造商：Samsung
　　存储器类型：FPM DRAM
　　组织结构：1M x 4 Bit
　　总容量：4 Mbit
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：60ns
　　封装类型：SOJ-20
　　引脚数：20
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 125°C
　　最大工作频率：约16.67 MHz（基于60ns周期）
　　刷新周期：典型值为15.6μs（每行）
　　数据宽度：4位
　　Banks数量：4
　　地址复用方式：A0-A9（行/列地址复用）

KM41C4000BJ-6作为一款经典的FPM DRAM器件，具备典型的异步动态存储器行为特征。其核心工作机制依赖于地址复用技术，通过分时传送行地址和列地址以减少引脚数量，从而降低封装成本与PCB布线复杂度。在读写操作过程中，首先由RAS信号锁存行地址，随后CAS信号锁存列地址，完成一次完整的地址输入后进行数据访问。FPM模式允许在保持行地址不变的前提下，连续执行多个列地址访问，显著提升了“页内”数据读写的效率，相较于早期的普通DRAM具有更高的吞吐能力。这种特性使其特别适合用于图形显示缓存、批量数据缓冲等需要连续内存访问的应用场景。
　　该芯片的工作电压为标准的5V，符合当时主流TTL电平兼容要求，能够无缝集成到多数基于5V供电的系统中。尽管不具备现代同步DRAM的时钟驱动机制，但其简单的控制逻辑降低了控制器设计难度，尤其适合使用传统北桥芯片组或专用内存控制器的旧架构主板。此外，60ns的访问时间在发布时期属于中高端性能水平，足以支持80486、Pentium初代等处理器平台的内存需求。
　　为了维持数据完整性，KM41C4000BJ-6必须定期执行刷新操作，通常由外部内存控制器发出RAS-only刷新命令，确保每个存储单元中的电容电荷不会因漏电而丢失信息。其支持的标准刷新模式包括集中式刷新和分布式刷新，具体策略取决于系统设计需求。虽然功耗相对较高且密度有限，但该芯片在可靠性方面表现出色，经过长期市场验证，在适宜环境下可实现稳定运行多年。

KM41C4000BJ-6主要应用于20世纪90年代中期的个人计算机内存模块中，特别是用于构建30-pin或72-pin SIMM（单列直插内存模块）。这类内存条常见于搭载Intel 80486、Pentium以及部分PowerPC架构的台式机和工作站系统中。由于其4位数据宽度，多个KM41C4000BJ-6芯片常被并联使用以满足CPU总线的数据宽度要求——例如，在一个32位系统中，需要8颗该芯片组成一个完整的内存模组。此外，它也被广泛用于工业控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗仪器以及某些专用测试设备中，这些领域对内存带宽要求不高但强调长期供货稳定性和系统兼容性。即使在当前，该芯片仍在老旧设备维修、博物馆级计算机复原项目以及某些不支持现代内存标准的嵌入式系统中发挥作用。另外，由于其结构简单、接口清晰，也常被用作教学实验中的存储器原理演示元件，帮助学生理解DRAM的基本寻址机制、刷新过程及FPM工作模式的实际运作方式。

KM41C4000BJ-8
　　KM41C4000BJ-7
　　IS41C4000-60K
　　MT4C4000BP-60
　　CY7C4000A-60JC