型号：KM41C1000AP-8
　　制造商：Samsung
　　存储类型：FPM DRAM
　　存储容量：1 Mbit (1024 kbits)
　　组织结构：1M x 1 bit
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：80 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：DIP-16（双列直插式16引脚）
　　地址线数量：A0-A9（共10位）
　　数据线数量：1位数据输入/输出（I/O）
　　控制信号：RAS（行地址选通）、CAS（列地址选通）、WE（写使能）、OE（输出使能）
　　刷新周期：典型值为15.6 μs（需要外部刷新控制器支持）
　　功耗：典型工作状态约120 mW，待机状态约50 mW

KM41C1000AP-8作为一款典型的快速页面模式动态随机存取存储器（FPM DRAM），具备多项关键特性以满足当时主流计算机系统的性能需求。其最显著的特点是支持快速页面模式访问，允许在保持行地址不变的情况下连续读取多个列地址的数据，从而显著提升数据吞吐率。在进行连续访问时，首字访问时间约为80ns，后续字的访问时间可缩短至低于35ns，这种机制特别适用于需要顺序读取内存块的应用场景，如图形显示缓冲或程序指令流执行。
　　该芯片采用动态存储单元设计，每个存储位由一个晶体管和一个电容组成，因此必须定期进行刷新操作以维持数据完整性。标准刷新周期为每15.6微秒一次，通常由外部内存控制器负责管理行地址的刷新调度。这一设计虽然增加了系统复杂性，但有效降低了芯片面积和成本，使其成为当时性价比极高的内存解决方案之一。
　　在电气特性方面，KM41C1000AP-8工作于标准的+5V电源电压，兼容TTL电平逻辑接口，便于与当时的微处理器和逻辑电路直接连接。其DIP-16封装形式便于手工焊接与更换，适合用于早期PC主板、工业控制板及测试设备中。此外，该器件具备良好的抗干扰能力和稳定性，在商用温度范围内（0°C至+70°C）能够可靠运行。
　　尽管不具备现代同步DRAM的突发传输和预取功能，KM41C1000AP-8在其时代背景下提供了稳定的异步内存访问能力，并通过优化内部感应放大器响应时间和地址解码路径来降低延迟。它还支持写使能（WE）和输出使能（OE）独立控制，实现灵活的读写操作时序配置，适应不同主控芯片的时序要求。这些特性共同构成了其在历史应用中的核心优势。

KM41C1000AP-8主要用于20世纪80年代末至90年代中期的各类电子系统中，尤其是在个人计算机、工控机和嵌入式设备中作为主存储器或辅助缓存使用。在早期的IBM PC/AT兼容机及其扩展系统中，这类1M×1bit的FPM DRAM常被并联多片以构成8位或更宽的数据总线，例如使用8颗KM41C1000AP-8组成1MB的内存模块（SIMM），满足当时操作系统和应用程序对内存容量的基本需求。
　　除了计算机领域，该芯片也被广泛应用于各种工业自动化设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）终端、数控机床（CNC）控制系统等，用于临时存储运行数据、程序代码或状态信息。由于其异步接口简单且易于驱动，许多基于8031、8051、Z80或68K系列微控制器的系统也采用此类DRAM作为外扩内存，以提升系统处理能力。
　　在通信设备中，KM41C1000AP-8可用于帧缓冲、协议处理中间存储或数字信号处理的临时数据暂存。同时，在测试仪器、医疗设备和消费类电子产品（如高级电视接收器或多媒体播放器原型）中也有应用记录。即使在当前，该芯片仍在老旧设备维修市场中发挥重要作用，尤其在无法获取原厂替换件的情况下，成为恢复系统功能的关键元器件。
　　此外，随着复古计算（Retro Computing）和电子怀旧文化的兴起，KM41C1000AP-8也成为爱好者重建经典计算机平台（如XT/AT机型、Amiga、早期Sun工作站等）的重要组件之一。其明确的时序规范和成熟的外围设计资料使得开发者能够较为容易地构建兼容的内存子系统。

MT4C1024AP-8
　　IS41C1000-80NL