时间：2025/11/12 21:50:18
阅读：18
KM416S4030CT-GL是一款由三星（Samsung）生产的高性能、低功耗的DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于消费类电子、嵌入式系统和通信设备中。该器件采用先进的CMOS工艺制造，支持双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据，从而显著提高数据吞吐率。KM416S4030CT-GL的存储容量为512Mbit（即64MB），组织结构为4组×16M×8位或等效的4M×16bit模式，工作电压为2.5V±0.2V，属于标准的DDR1 SDRAM范畴。该芯片封装形式为TSOP-II（薄型小尺寸封装），具有较小的物理尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围通常为商业级（0°C至+70°C），满足大多数室内电子设备的运行要求。此外，该器件支持自动刷新、自刷新、突发长度可编程（通过模式寄存器设置）、CAS延迟可配置等功能，提升了系统在不同应用场景下的灵活性与能效表现。作为一款成熟的DDR内存颗粒，KM416S4030CT-GL曾被广泛用于早期的网络设备、机顶盒、打印机、工业控制模块以及部分笔记本电脑内存条中。
类型：DDR SDRAM
密度：512Mbit
组织结构：4 Banks × 16M words × 8 bits 或等效 16-bit 模式
工作电压：2.5V ± 0.2V
最大频率：133MHz (对应66.7MHz时钟，DDR实现133MT/s)
数据速率：133 MT/s
CAS 延迟：CL2 或 CL2.5 可选
封装类型：TSOP-II, 54-pin
工作温度：0°C 至 +70°C
存储温度：-55°C 至 +125°C
输入/输出电平：LVTTL
突发模式：连续或交错可选
突发长度：1, 2, 4, 8 可编程
刷新周期：自动刷新与自刷新支持
最小访问时间：tAA ≤ 10ns
地址建立时间：tIS ≥ 1.5ns
数据保持时间：tDH ≥ 1.5ns
KM416S4030CT-GL具备多项关键技术特性以确保其在复杂电子系统中的稳定性和高效性。
首先，该芯片采用了四体（4-bank）架构设计，允许在一个存储阵列进行操作的同时，其他bank执行预充电或刷新操作，极大地提高了内存的并发处理能力和整体带宽利用率。这种bank并行机制特别适用于需要频繁切换读写命令的应用场景，例如视频流缓冲或多任务操作系统环境。
其次，其支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）模式。在自刷新模式下，芯片内部逻辑可以自主维持数据完整性而无需外部控制器干预，显著降低待机功耗，这对于便携式或电池供电设备尤为重要。
再次，KM416S4030CT-GL支持可编程的突发长度和CAS（列地址选通）延迟，用户可通过写入模式寄存器（Mode Register）来自定义访问行为，适应不同主控处理器的时序需求，增强了系统的兼容性与优化空间。
此外，该器件具有优良的信号完整性和抗干扰能力，所有输入输出引脚均符合LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）电平规范，并集成了内部终端电阻匹配，有助于减少信号反射和串扰，提升高速数据传输的可靠性。
最后，TSOP-II封装不仅保证了良好的热稳定性，还便于自动化贴片生产，降低了制造成本。尽管该型号已逐步被更高速度、更低功耗的DDR2/DDR3乃至LPDDR系列所取代，但其成熟可靠的设计仍使其在某些工业和维护类项目中保有应用价值。
KM416S4030CT-GL主要应用于对成本敏感且不需要极高带宽的中低端电子设备中。
在消费电子领域，它常被用作数字机顶盒、DVD播放器、家用打印机和多功能一体机中的主内存或图像缓存单元，负责临时存储解码数据、图形信息或打印队列内容。
在网络通信设备方面，该芯片广泛用于早期的路由器、交换机和IP摄像头中，作为协议处理缓冲区或帧缓存使用，支持实时数据包处理和转发功能。
在工业控制与自动化系统中，KM416S4030CT-GL可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数据采集模块，提供稳定的运行内存支持，保障控制程序的流畅执行。
此外，一些老旧型号的笔记本电脑或嵌入式主板也采用此类DDR颗粒构建基础内存系统，尤其是在采用Intel 855GM/PM等经典芯片组的平台上较为常见。
由于其停产多年，目前新设计中已较少直接选用，但在维修替换、备件更换及存量设备维护市场中仍有较高需求。部分第三方模组厂商也会将该芯片用于组装兼容品牌的SO-DIMM内存条，供特定行业客户使用。
K4H56S489D-TCB3
MT46V32M16TG-75:Q
IS42S16400F-7BLI
