KM4132G112TQ-7是一款由三星(Samsung)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于早期的DRAM产品,主要用于个人计算机和服务器内存模块。KM4132G112TQ-7采用TSOP(薄型小外形封装)技术,具有较高的存储密度和较快的存取速度,适用于需要高效数据处理的系统。
容量:128MB
类型:DRAM
组织方式:x32
电压:3.3V
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
封装类型:TSOP
引脚数量:54
工作温度范围:0°C 至 70°C
KM4132G112TQ-7具有多个重要特性,包括高速存取能力、低功耗设计和稳定性强等优点。这款DRAM芯片的存取时间为5.4ns,支持166MHz的时钟频率,确保了快速的数据读写能力。此外,该芯片采用低电压设计(3.3V),有助于降低整体功耗并提高系统的能效比。TSOP封装技术不仅减小了芯片的体积,还提高了封装密度,使其更适合用于空间受限的应用场景。另外,该芯片的工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数常规电子设备运行环境,保证了良好的稳定性和可靠性。
在存储器架构方面,KM4132G112TQ-7采用了x32的数据组织方式,这意味着它可以在一个存取周期内传输32位数据,从而提高了数据吞吐量。这种设计特别适合需要高带宽内存的应用,如图形处理、服务器计算和高性能计算系统。
KM4132G112TQ-7主要应用于早期的个人计算机、服务器和工作站内存模块中。由于其高速数据存取能力和稳定的性能,该芯片被广泛用于需要大量内存支持的计算任务,例如图形渲染、数据库处理和多任务操作系统环境。此外,KM4132G112TQ-7也适用于工业控制设备、嵌入式系统和通信设备,这些应用通常需要可靠且高效的内存解决方案来支持复杂的数据处理任务。
MT48LC16M16A2B4-6A, HY57V641620FTP-6B