时间：2025/8/25 6:34:52
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KM4100IC8TR3 是由三星（Samsung）生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件是一种高速、低功耗的CMOS SRAM，具有较高的可靠性和稳定性，适用于需要快速数据存取的应用场景。该封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的电路板上使用。TR3后缀通常表示卷带封装（Tape and Reel），适合自动化贴片生产。
容量：4Mbit（512K x 8）
电压范围：2.3V ~ 3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：TSOP
引脚数量：54
接口类型：并行（地址/数据线）
封装尺寸：54-TSOP
最大工作频率：100MHz
功耗：典型值100mA（待机模式下低至10μA）
KM4100IC8TR3 采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问能力和低功耗特性。其访问时间为10ns，支持快速的数据读写操作。芯片内部结构为512K x 8位，总容量为4Mbit，适用于需要中等容量高速存储的场合。其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源系统，并具备良好的电压适应能力。
该SRAM芯片具备工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境下的稳定运行。TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。TR3后缀表明其为卷带封装，适合自动化SMT生产线，提高了生产效率。
此外，KM4100IC8TR3具有低待机电流特性，可显著降低系统功耗，适用于电池供电设备或需要节能设计的系统。该芯片广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备以及消费类电子产品中，作为高速缓存或临时数据存储单元。
KM4100IC8TR3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取的电子系统中。典型应用包括微控制器系统中的外部高速缓存、工业控制设备的数据缓冲器、通信设备的临时存储器、网络设备的数据包缓冲器、图像处理设备的帧缓存、消费类电子产品的临时数据存储模块等。
由于其低功耗和宽电压特性，该芯片也适用于便携式设备，如手持终端、智能仪表、POS机、医疗设备等。在汽车电子系统中，该SRAM可用于仪表盘控制系统、车载娱乐系统或远程信息处理模块等场景。
另外，该芯片适用于FPGA、CPLD等可编程逻辑器件的外部存储扩展，提供快速的数据访问能力。对于需要实时数据处理和高速缓存功能的嵌入式系统来说，KM4100IC8TR3是一个理想的存储解决方案。
IS61LV25616-10TLI-S, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416S10PFG, A6210-10SCN
