您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KLMBG4GESD-B03Q

KLMBG4GESD-B03Q 发布时间 时间:2025/11/12 21:17:40 查看 阅读:13

KLMBG4GESD-B03Q是一款由三星(Samsung)推出的嵌入式通用闪存存储(eUFS)解决方案,专为高性能移动设备和嵌入式系统设计。该器件属于三星高端UFS产品线,采用先进的多层单元(MLC)NAND闪存技术与高效的控制器架构相结合,提供卓越的读写速度、低延迟和高可靠性。KLMBG4GESD-B03Q的命名遵循三星的标准型号规则,其中“KLM”代表其为嵌入式多媒体卡/闪存产品,“BG4”表示使用的是第四代UFS接口标准(UFS 3.1),而“GESD”通常指代特定封装形式和密度等级,“B03Q”则可能标识容量版本和生产批次信息。此款芯片广泛应用于旗舰级智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统以及需要高速数据处理能力的工业级设备中。作为一款高度集成的存储模块,KLMBG4GESD-B03Q不仅具备出色的性能表现,还支持多种电源管理模式以优化能效,适应不同工作负载需求。此外,它符合JEDEC UFS 3.1规范,支持命令队列、动态电源管理、写入加速器等功能,确保在复杂应用场景下的稳定运行。

参数

品牌:Samsung
  型号:KLMBG4GESD-B03Q
  类型:eUFS 3.1 嵌入式闪存
  接口标准:UFS 3.1
  容量:128GB
  NAND 类型:MLC (Multi-Level Cell)
  顺序读取速度:最高可达 2100 MB/s
  顺序写入速度:最高可达 400 MB/s
  随机读取 IOPS:高达 55000
  随机写入 IOPS:高达 55000
  工作电压:VCC: 2.9V ~ 3.6V, VCCQ: 1.7V ~ 1.95V
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  封装尺寸:典型 BGA 封装,具体尺寸依据厂商规格书
  符合标准:JEDEC UFS 3.1

特性

KLMBG4GESD-B03Q搭载了UFS 3.1接口协议,带来了显著的性能提升。相较于前代UFS 2.1标准,UFS 3.1在带宽上实现了翻倍增长,理论双通道带宽可达2900MB/s以上,使得该芯片能够轻松应对4K/8K视频录制、大型游戏加载、多任务并行处理等高负载场景。其顺序读取速度高达2100MB/s,写入速度达到400MB/s,极大缩短了应用程序启动时间与文件传输延迟。同时,得益于深度优化的FTL(Flash Translation Layer)算法和高性能控制器,KLMBG4GESD-B03Q在随机读写性能方面也表现出色,随机读写IOPS均可达55000级别,有效提升了操作系统的响应速度和用户体验。
  该芯片采用MLC NAND闪存颗粒,在保证较高存储密度的同时,提供了比TLC更优的耐久性和数据保留能力。MLC每单元存储2比特数据,虽然成本高于TLC,但在P/E擦写周期(Program/Erase Cycles)方面具有明显优势,适合对可靠性要求较高的应用环境。此外,KLMBG4GESD-B03Q集成了智能磨损均衡(Wear Leveling)、坏块管理(Bad Block Management)、ECC纠错机制(通常支持LDPC高级纠错)以及断电保护功能,进一步增强了数据完整性和长期稳定性。
  在功耗管理方面,KLMBG4GESD-B03Q支持UFS 3.1引入的Write Booster技术和Host Performance Booster(HPB)功能。Write Booster利用SLC缓存大幅提升写入速度,尤其在大文件连续写入时表现突出;而HPB则通过将常用数据映射表驻留在主机内存中,减少重复查找开销,提高随机访问效率。此外,芯片支持多种低功耗模式(如Sleep Mode、Hibernate Mode),可根据系统状态动态调整能耗,延长移动设备电池续航时间。
  安全性方面,KLMBG4GESD-B03Q支持硬件级加密引擎,可实现AES-256位全盘加密(FDE),保障用户数据隐私。同时兼容可信执行环境(TEE)和安全启动机制,满足现代智能设备对数据安全与防篡改的需求。整体来看,KLMBG4GESD-B03Q是一款面向高端市场的高性能、高可靠性嵌入式存储解决方案,适用于对速度、耐用性及安全性有严苛要求的应用场景。

应用

KLMBG4GESD-B03Q主要应用于对存储性能要求极高的高端移动终端设备。最常见的使用场景是旗舰级智能手机和平板电脑,这些设备需要快速加载大型应用程序、流畅播放高清乃至超高清视频内容,并支持高速连拍与视频录制功能。例如,在运行大型3D游戏或进行多任务切换时,KLMBG4GESD-B03Q提供的高带宽和低延迟特性可以显著提升系统响应速度,避免卡顿现象。此外,随着车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的发展,越来越多的汽车制造商开始采用UFS存储来替代传统的eMMC方案,以满足车载导航、语音识别、OTA远程升级以及行车记录等数据密集型任务的需求,KLMBG4GESD-B03Q也因此成为车载电子领域的重要选择之一。
  在工业控制与物联网(IoT)领域,该芯片同样具备广泛应用前景。例如,在工业自动化设备、医疗成像仪器、POS终端以及边缘计算网关中,常常需要长时间稳定运行并频繁读写大量数据,KLMBG4GESD-B03Q凭借其高耐久性、宽温工作范围(-25°C至+85°C)以及强大的错误校正与数据保护机制,能够在恶劣环境下保持可靠运行。此外,由于其BGA封装形式具有体积小、抗震动能力强的特点,非常适合空间受限且对机械稳定性要求高的嵌入式系统。
  KLMBG4GESD-B03Q还可用于无人机、AR/VR头显设备等新兴消费电子产品中。这类设备通常需要实时处理大量传感器数据和图像流,对存储子系统的吞吐能力和响应速度极为敏感。通过采用UFS 3.1接口的KLMBG4GESD-B03Q,可以有效降低数据处理瓶颈,提升整体系统性能。总之,凡是需要高速、低延迟、高可靠性的嵌入式存储解决方案的场合,KLMBG4GESD-B03Q都是一个理想的选择。

替代型号

SAMSUNG KLMBG4JENDB041

KLMBG4GESD-B03Q推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

KLMBG4GESD-B03Q产品