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KLM4G1FE3B-B001 发布时间 时间:2025/4/30 20:47:29 查看 阅读:6

KLM4G1FE3B-B001 是一款由 KIOXIA(原东芝存储器)生产的 NAND 闪存芯片,采用 e.MMC 5.1 规范。该芯片主要应用于嵌入式系统、移动设备以及需要高效存储解决方案的消费电子产品中。其设计注重低功耗和高可靠性,适用于对存储容量和性能有较高要求的场景。

参数

存储容量:4GB
  接口类型:e.MMC 5.1
  封装形式:BGA 153 球
  工作电压:1.7V~1.95V (I/O), 2.7V~3.6V (Vcc)
  数据传输速率:最高 400MB/s
  工作温度范围:-25℃ 至 +85℃
  擦写寿命:约 3000 次(视具体使用情况而定)

特性

KLM4G1FE3B-B001 具备以下显著特性:
  1. 高密度存储:4GB 的存储容量能够满足大多数嵌入式系统的存储需求。
  2. 高速数据传输:支持 e.MMC 5.1 标准,具备高速读写能力,适合需要快速加载和处理数据的应用场景。
  3. 小型化设计:采用 BGA 153 封装,具有较小的体积,适合空间受限的设计。
  4. 低功耗运行:优化的电源管理设计使其在各类工作模式下都能保持较低的功耗。
  5. 可靠性保障:内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据的完整性和可靠性。
  6. 广泛的工作温度范围:从 -25℃ 到 +85℃,适应多种环境条件。

应用

KLM4G1FE3B-B001 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗设备和自动化系统中的存储模块。
  2.平板电脑等便携式电子设备的内部存储。
  3. 物联网(IoT)设备:为智能家电、可穿戴设备和其他物联网终端提供稳定的存储支持。
  4. 消费类电子产品:如数码相机、游戏机等需要高效存储解决方案的产品。

替代型号

KLM4G1GE3B-B001, KLM8G1FE3B-B001

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