KLM4G1FE3B-B001 是一款由 KIOXIA(原东芝存储器)生产的 NAND 闪存芯片,采用 e.MMC 5.1 规范。该芯片主要应用于嵌入式系统、移动设备以及需要高效存储解决方案的消费电子产品中。其设计注重低功耗和高可靠性,适用于对存储容量和性能有较高要求的场景。
存储容量:4GB
接口类型:e.MMC 5.1
封装形式:BGA 153 球
工作电压:1.7V~1.95V (I/O), 2.7V~3.6V (Vcc)
数据传输速率:最高 400MB/s
工作温度范围:-25℃ 至 +85℃
擦写寿命:约 3000 次(视具体使用情况而定)
KLM4G1FE3B-B001 具备以下显著特性:
1. 高密度存储:4GB 的存储容量能够满足大多数嵌入式系统的存储需求。
2. 高速数据传输:支持 e.MMC 5.1 标准,具备高速读写能力,适合需要快速加载和处理数据的应用场景。
3. 小型化设计:采用 BGA 153 封装,具有较小的体积,适合空间受限的设计。
4. 低功耗运行:优化的电源管理设计使其在各类工作模式下都能保持较低的功耗。
5. 可靠性保障:内置 ECC(错误校正码)引擎,确保数据的完整性和可靠性。
6. 广泛的工作温度范围:从 -25℃ 到 +85℃,适应多种环境条件。
KLM4G1FE3B-B001 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗设备和自动化系统中的存储模块。
2.平板电脑等便携式电子设备的内部存储。
3. 物联网(IoT)设备:为智能家电、可穿戴设备和其他物联网终端提供稳定的存储支持。
4. 消费类电子产品:如数码相机、游戏机等需要高效存储解决方案的产品。
KLM4G1GE3B-B001, KLM8G1FE3B-B001