KIC7S32FU-RTK 时间：2025/12/28 14:50:15 阅读：18

KIC7S32FU-RTK 是一款由 KEC（高荣半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于各种高性能电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。KIC7S32FU-RTK 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热性能和空间效率，适合在中高功率应用中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：32A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 8.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KIC7S32FU-RTK 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，实现了非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。
　　该器件具有较高的电流处理能力，最大连续漏极电流可达 32A，适用于高功率密度的设计。
　　KIC7S32FU-RTK 的最大漏-源电压为 60V，适用于多种中压电源转换应用，如服务器电源、电信设备电源和同步整流器。
　　其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，支持标准逻辑电平驱动，便于与多种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　TO-252 封装具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下维持较低的结温，提高系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。

应用

KIC7S32FU-RTK 广泛应用于各种电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 降压和升压转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于服务器、路由器、交换机等通信设备中的电源模块。
　　在电池管理系统中，KIC7S32FU-RTK 可用于实现高效的充放电控制和保护电路。
　　该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、电动工具和 UPS（不间断电源）系统等需要高可靠性和高效率的场合。
　　其高频开关特性也使其适用于 LED 照明驱动器、电源适配器和 AC-DC 电源模块等应用。