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KIC7S32FU-RTK/P3 发布时间 时间:2025/9/12 13:30:47 查看 阅读:3

KIC7S32FU-RTK/P3是一款由KEMET公司推出的多层陶瓷电容器(MLCC),专为需要高可靠性和稳定性的电子应用设计。该电容器采用表面贴装封装,适用于高频电路和去耦应用。该型号的电容值为3.2pF,容差为±0.5pF,额定电压为50V。由于其优良的电气特性和稳定性,KIC7S32FU-RTK/P3广泛应用于射频(RF)电路、通信设备、工业控制系统以及高端消费电子产品中。

参数

电容值:3.2pF
  容差:±0.5pF
  额定电压:50V
  温度系数:C0G(NP0)
  封装类型:表面贴装
  工作温度范围:-55°C至+125°C
  介质材料:陶瓷
  绝缘电阻:10,000MΩ
  最大工作电压:50V

特性

KIC7S32FU-RTK/P3是一款高性能的多层陶瓷电容器,采用了C0G(NP0)类温度系数,具有极低的温度漂移,确保在各种工作条件下电容值的稳定性。这种电容器的介质材料为陶瓷,具有优异的高频响应特性,适合用于射频电路和去耦电路中的旁路电容。此外,该电容器的工作温度范围较宽,从-55°C到+125°C,能够适应严苛的环境条件。KIC7S32FU-RTK/P3的表面贴装封装设计有助于简化PCB布局,并提高电路板的整体可靠性。此外,该型号的绝缘电阻高达10,000MΩ,保证了出色的电气隔离性能,降低了漏电流的风险。其额定电压为50V,适合用于中高电压应用场景,如电源管理电路和信号处理模块。

应用

KIC7S32FU-RTK/P3广泛应用于多种电子设备中,特别是在对电容稳定性和高频性能有严格要求的场合。常见的应用包括射频(RF)放大器、滤波器、振荡器和天线调谐电路。由于其C0G(NP0)温度系数的高稳定性,该电容器也常用于精密模拟电路和定时电路。此外,它还适用于工业控制系统、测试测量设备、通信基础设施(如基站和路由器)以及高端消费电子产品(如智能手机和可穿戴设备)。在这些应用中,KIC7S32FU-RTK/P3能够提供可靠的去耦、旁路和滤波功能,确保电路的稳定运行。

替代型号

KIC7S32FU-RTK/P3可以被类似参数的多层陶瓷电容器替代,例如TDK的C101C32FB5UNT、Murata的GRM188R71H320JA01和KEMET的KC-LINK系列中的KC32ES3105AAHF。这些替代型号在电容值、容差、额定电压和温度系数方面与KIC7S32FU-RTK/P3相近,能够满足类似的电气性能需求。但需根据具体电路设计和应用环境进行适当匹配和验证。

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