您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KIC7S08FU-RTK/P

KIC7S08FU-RTK/P 发布时间 时间:2025/9/11 19:36:51 查看 阅读:29

KIC7S08FU-RTK/P 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的器件通常用于高效率的电源管理和开关电路中。KIC7S08FU-RTK/P 特别设计用于在较低的导通电阻下工作,从而减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用表面贴装封装(通常为 TO-252 或 DPAK 封装),适用于各种工业和消费类电子设备。该MOSFET的工作电压和电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机控制等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):80V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):约0.0035Ω(最大值)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

KIC7S08FU-RTK/P MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))特性,这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其高电流承载能力(高达120A)允许其在高负载条件下稳定运行,非常适合用于大功率应用。该器件的 TO-252 封装形式使其易于在印刷电路板上安装,并具有良好的散热性能,有助于在高功率操作时维持较低的温度上升。此外,KIC7S08FU-RTK/P 具有良好的热稳定性和耐用性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能,适用于恶劣环境条件下的应用。其栅极驱动电压范围宽,兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路,便于集成到各种控制系统中。另外,该器件具备较快的开关速度,有助于减少开关损耗并提高电源转换效率,适用于高频开关应用。其耐用性和高可靠性使其成为工业自动化、汽车电子、电源管理等关键系统中的理想选择。

应用

KIC7S08FU-RTK/P MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电池充电与管理系统、负载开关、电源管理模块以及各种类型的电源供应器。此外,它还可用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具、电池供电设备以及工业自动化控制系统等。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的电能转换和稳定的性能,确保系统运行的可靠性和能效。

替代型号

KIC7S08FU-RTK/P 的替代型号包括 IRF1405、Si7454DP、IPD90N08S4-07、FDS4410A 和 TK7A08K3。这些MOSFET在电气特性、封装形式和性能方面与 KIC7S08FU-RTK/P 相似,可以在设计中作为替代选择使用。

KIC7S08FU-RTK/P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价