时间：2025/6/20 22:30:20
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KIA8N80BTH 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于高效率的功率转换场景。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-263（DPAK），能够提供出色的散热性能和电气特性。其主要特点是耐压高、导通损耗低以及优秀的开关性能。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.4Ω
栅极阈值电压：4V
功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
KIA8N80BTH 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（800V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频应用场景。
4. 较高的雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能正常工作。
5. 紧凑型 DPAK 封装，具备良好的散热特性和机械稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
KIA8N80BTH 广泛应用于需要高压大电流处理的各种场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 直流-直流（DC-DC）转换器和升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理部分。
6. LED 驱动电路，用于高效照明解决方案。
KIA8N80B, IRF840, STP8NB80Z
