KIA7N60H 时间：2025/9/12 13:08:36 阅读：5

KIA7N60H 是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛用于高电压开关应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点，适用于电源转换器、马达驱动器、DC-DC转换器及各种高电压高功率的开关电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：7A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KIA7N60H MOSFET采用了先进的平面技术制造，具备优异的性能和可靠性。其高耐压能力（600V）使其在高压环境中依然能保持稳定工作，适用于各种工业电源设备。该器件的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，能够有效减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，KIA7N60H还具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下维持稳定的性能，适应苛刻的工作环境。其TO-220封装设计不仅便于安装和散热，同时也增强了器件在高功率应用中的稳定性和耐用性。
　　KIA7N60H的栅极驱动特性较为优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现良好的导通性能。其栅源电压范围为±30V，提供了较大的设计灵活性。此外，该器件具备良好的抗静电能力和过载保护能力，使其在各种复杂的电子系统中具备较高的可靠性。由于其优异的电气特性和物理特性，KIA7N60H被广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、LED驱动器等高压高功率场合。