KIA7688F 时间：2025/9/11 16:07:20 阅读：7

KIA7688F是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效功率管理的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适合在高效率、高密度的电源系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（在Vgs=10V）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KIA7688F具有极低的导通电阻，使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其采用先进的沟槽技术，确保了优异的热性能和电流处理能力。此外，该MOSFET具备高耐压能力，漏源击穿电压达到30V，能够适应各种恶劣的工作环境。器件内部设计优化，具有出色的短路和过热保护能力，提升了整体系统的可靠性。TO-263封装形式也便于散热管理，适用于表面贴装技术（SMT），有利于自动化生产。
　　该MOSFET的栅极驱动特性良好，可在较宽的温度范围内保持稳定的性能。其栅极电荷量较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率。KIA7688F在高电流负载下仍能保持良好的稳定性和效率，是电源管理和功率转换应用中的理想选择。