KIA7425F 时间：2025/12/28 15:40:40 阅读：15

KIA7425F是一款由KEC Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的平面技术制造，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电池充电电路以及负载开关等场景。KIA7425F封装为SOP-8，适合表面贴装工艺，便于在紧凑的PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.6A
　　导通电阻(Rds(on))：25mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

KIA7425F具有优异的电性能和热稳定性，其低导通电阻特性可以显著降低系统在高电流工作时的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其在复杂的工作环境中具备更强的抗干扰能力，减少因电压波动而导致的损坏风险。
　　KIA7425F采用了SOP-8封装，具备良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。同时，其内部结构设计优化了开关特性和热阻，使得在高频开关应用中仍能保持稳定工作。
　　此外，KIA7425F具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发电流冲击下的可靠性，适用于各种工业控制、汽车电子和便携式设备的电源管理系统。