KIA7042P 时间：2025/12/28 15:09:44 阅读：9

KIA7042P是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电流开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等领域。KIA7042P在设计上优化了热性能和开关性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A
　　导通电阻(Rds(on))：≤4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-220

特性

KIA7042P MOSFET具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件支持高达110A的连续漏极电流，适用于高电流负载的应用场景。此外，KIA7042P具有较高的热稳定性，TO-220封装提供了良好的散热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
　　KIA7042P还具备良好的开关特性，快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。该器件内置的体二极管能够承受较高的反向恢复电流，适用于需要频繁切换的应用场合，如同步整流和H桥马达控制。
　　此外，KIA7042P的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，兼容多种驱动电路设计。其高栅极阈值电压（Vgs(th)）也增强了器件在高温下的稳定性，降低了误触发的风险。