KIA7025AT是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效能开关操作的电子电路中。这款器件采用TO-220封装,适用于多种应用,如电源管理、DC-DC转换器和负载开关。KIA7025AT的设计确保了在高电流和高电压环境下仍能保持良好的性能和稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):10A
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):≤0.32Ω
功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
KIA7025AT具有低导通电阻,这使其在高电流应用中能够有效地减少功率损耗和热量产生。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性和耐用性,适合在苛刻的工作环境中使用。它的栅极驱动电压范围较宽,能够在不同的控制电路中灵活应用。KIA7025AT还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性,适用于工业级和消费类电子产品。
在封装方面,TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和使用。这种封装形式使得KIA7025AT在PCB布局中占用的空间较小,同时保证了足够的机械强度和电气隔离。KIA7025AT的这些特性使其成为一款性价比高的功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。
KIA7025AT常用于电源管理系统、DC-DC转换器、马达控制器、电池充电器以及各种负载开关电路。此外,它还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。
IRFZ44N, FDPF6N60, STP10NK60Z