KIA6264P 时间：2025/12/28 15:01:41 阅读：25

KIA6264P 是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗。KIA6264P采用TO-220封装形式，适用于各种工业电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220

特性

KIA6264P的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，该MOSFET具有较高的额定电流能力，最大连续漏极电流可达60A，使其适用于需要大功率输出的电路设计。
　　其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适用于多种工业级应用环境。
　　KIA6264P的工作温度范围较宽，从-55℃到150℃，确保了其在极端温度条件下的稳定性和可靠性。
　　栅源电压的最大值为±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时防止过压损坏。
　　该器件的高耐压能力（60V Vds）使其适用于多种中高压电源应用，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。

应用

KIA6264P MOSFET常用于各种电源管理应用，包括但不限于DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关和马达驱动电路。
　　在计算机电源供应器和服务器电源系统中，KIA6264P可用于高效能电源转换，确保系统稳定运行。
　　此外，它也适用于电池管理系统，特别是在需要高效充放电控制的场合，如电动汽车、储能系统和便携式电子设备。
　　由于其高电流承载能力和低导通损耗，KIA6264P也常用于工业自动化设备中的电机驱动和负载控制电路中。