KIA2N60P 时间：2025/12/28 15:05:26 阅读：14

KIA2N60P是一款由KIA Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.55Ω
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KIA2N60P具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和高可靠性。
　　此外，KIA2N60P的高耐压能力（600V Vds）使其适用于各种高压应用，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源、工业控制电源等。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强系统的安全性和耐用性。
　　在封装方面，KIA2N60P采用标准的TO-220封装，便于安装和散热管理，适合多种PCB布局设计，同时具备良好的散热性能，有助于维持器件在高负载下的稳定工作。
　　此外，KIA2N60P具有较高的输入阻抗和快速的开关响应时间，适合高频开关应用，有助于提高电源系统的整体效率和响应速度。