类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约18mΩ（Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP-8

KIA1504S-Y-RTK/P 具有多个关键性能特点，使其适用于多种功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)约为18mΩ，这一数值在同级别MOSFET中表现优异。
　　其次，该器件的漏源电压（Vds）额定为30V，使其适用于中低功率电源系统，如笔记本电脑、便携式设备和电机驱动器。同时，±20V的栅源电压（Vgs）保证了MOSFET在控制电路中的稳定性和耐久性。
　　此外，KIA1504S-Y-RTK/P采用SOP-8封装，具备良好的热管理和空间优化能力，适合高密度PCB布局。其2W的最大功耗允许在中等负载条件下运行而不过热，提高了系统可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频操作，适用于DC-DC转换器和同步整流等应用。同时，其低栅极电荷（Qg）进一步优化了驱动性能，降低了控制器的负担。

KIA1504S-Y-RTK/P 主要用于各类中低功率电源管理系统。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高效升压或降压调节，适用于电池供电设备、工业控制和消费类电子产品。在电池充电管理电路中，它可作为主开关元件，实现对锂电池或铅酸电池的安全充放电控制。
　　此外，该器件也可用于电机驱动和负载开关应用，如智能电表、LED照明驱动和电源分配系统。其SOP-8封装形式使其特别适合空间受限的便携设备，如平板电脑、智能手机和穿戴式电子产品。
　　在汽车电子领域，KIA1504S-Y-RTK/P可用于车载充电器、车身控制模块和LED车灯驱动电路，其宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定性。

Si2302DS、AO4406、FDS6675、NTMFS4C06N、FDMS86181