KHS82E 时间：2025/9/12 14:32:00 阅读：6

KHS82E 是一款常用的双极型晶体管（BJT）阵列芯片，内部集成了多个晶体管，适用于需要多个晶体管协同工作的电子电路设计。该器件通常用于信号处理、逻辑控制、放大和开关应用，特别适用于需要高可靠性和稳定性的场合。KHS82E 以其集成度高、响应速度快和成本效益好等优点，被广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：8个
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP-16

特性

KHS82E 的一大特点是其内部集成了8个独立的NPN型晶体管，这种集成设计不仅节省了电路板空间，还减少了外围元件的数量，提高了系统的可靠性。
　　每个晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其能够在中等功率的应用中稳定工作。
　　该芯片的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于各种严苛环境下的应用，如工业自动化、汽车电子和家用电器等。
　　此外，KHS82E 的封装形式为DIP-16，这种封装便于手工焊接和插拔，非常适合原型设计和中小规模生产。
　　由于其良好的电气特性和稳定性，KHS82E 被广泛用于数字逻辑电路、继电器驱动、LED显示控制以及电机控制等应用场合。

应用

KHS82E 主要用于需要多个晶体管同时工作的场合，例如在工业控制系统中，它可以用于驱动多个小型继电器或控制多个执行机构；
　　在消费电子产品中，如LED显示屏，KHS82E 可以用于驱动多个LED灯，实现动态显示效果；
　　在通信设备中，它可以用于信号的放大和处理，提高信号的传输效率和稳定性；
　　此外，KHS82E 还可以用于逻辑门电路的设计，实现复杂的数字逻辑功能，如与门、或门、非门等；
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，KHS82E 也常用于汽车电子系统中，如车身控制模块、灯光控制系统等。