KHN40281ASRD1D-2 时间：2025/5/12 19:17:33 阅读：19

KHN40281ASRD1D-2 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其优化的封装设计有助于提高散热性能，并支持高电流负载操作。
　　这款 MOSFET 广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景中，能够有效降低功率损耗并提升系统可靠性。

参数

型号：KHN40281ASRD1D-2
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：60V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　连续漏极电流(I_D)：35A
　　导通电阻(R_DS(on))：1.2mΩ（典型值，在V_GS=10V时）
　　总栅极电荷(Q_g)：95nC
　　开关时间：开通延迟时间(t_d(on))：17ns，关断传播时间(t_d(off))：35ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-3L

特性

KHN40281ASRD1D-2 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，有助于减少传导损耗并提升整体效率。
　　2. 快速的开关速度，使得它非常适合高频开关应用。
　　3. 高额定电流能力，可以承受高达 35A 的连续漏极电流。
　　4. 宽工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，确保在极端环境下的可靠运行。
　　5. 先进的热管理设计，通过优化的封装结构来改善散热性能。
　　6. 稳定的电气参数和出色的耐用性，适合长时间稳定运行的工业应用。

应用

KHN40281ASRD1D-2 主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　2. 电机控制和驱动电路中的功率输出级。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
　　5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径控制。
　　6. 高效电子负载模拟器及测试设备中的核心功率元件。
　　由于其优异的性能，KHN40281ASRD1D-2 在需要高效功率转换和精确电流控制的应用中表现出色。