电容值：0.15μF（154）
　　容差：±20%（M）
　　温度系数：X7R（-55°C ~ +125°C）
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　介质材料：陶瓷
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C

KHC500E154M21N0T00 具备多项优异性能，首先是其高稳定性，采用X7R陶瓷介质材料，具有良好的温度系数，确保在宽温度范围内电容值的变化控制在±15%以内。其次，该电容器拥有较高的额定电压，适用于中高电压应用场景，确保电路运行的可靠性。
　　此外，该型号采用表面贴装封装形式，适合自动化贴片工艺，提高生产效率并降低制造成本。其陶瓷介质还赋予了它良好的抗老化性能，长期使用过程中电容值不易衰减，从而延长了整体电子产品的使用寿命。
　　在电气性能方面，KHC500E154M21N0T00 具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出色，适用于滤波、去耦和旁路电路等高频场景。此外，其多层结构设计增强了机械强度，减少了因机械应力引起的电容变化，提高了产品在恶劣环境下的稳定性。

KHC500E154M21N0T00 常用于高可靠性电子系统中，如航空航天设备、军事通信系统、工业控制系统、电源管理模块以及高性能计算设备。在电源去耦和滤波电路中，该电容器可以有效抑制电压波动，提升系统的稳定性与可靠性。此外，由于其良好的高频特性，也广泛应用于射频（RF）电路和高速数字电路中，用于降低噪声和提高信号完整性。

KHC500E154M21N0T00 可以用以下型号作为替代：Kemet KHC500E154M21N0T、AVX的 0603YC154MAT4A（若封装允许调整）、Murata的 GRM3195C1H154MA01L。使用替代型号时需注意电容值、电压等级、温度系数和封装尺寸是否匹配，以确保电路性能不受影响。