电容值：3.3μF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　温度特性：Z5U
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C

KHC101E335Z55R0T00 是一款高性能的多层陶瓷电容器，采用了先进的陶瓷介质材料和多层结构设计，以确保在高温和高压条件下依然能够稳定运行。该电容器的 Z5U 温度特性意味着其电容值在 -55°C 到 +125°C 的工作温度范围内可以保持较高的稳定性，尽管其温度漂移比 X7R 或 C0G 等类型稍大，但在成本敏感的应用中具有显著优势。
　　此外，该电容器的额定电压为 50V，能够满足大多数中高压电路的需求，同时具备良好的抗电压波动能力。3.3μF 的电容值使其适用于去耦、滤波和能量存储等典型应用。±5% 的容差确保了在生产过程中电容值的一致性，减少了电路调试的难度。
　　封装尺寸为 1210（即 3225 公制尺寸，约 3.2mm x 2.5mm），这种尺寸在空间利用和焊接稳定性之间取得了良好的平衡，特别适合自动贴片工艺和高密度 PCB 设计。此外，该电容器采用无极性设计，避免了极性错误导致的故障，提高了系统的可靠性。
　　KHC101E335Z55R0T00 的制造工艺符合 RoHS 标准，无铅环保，适用于现代电子产品对环保法规的要求。

KHC101E335Z55R0T00 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子设备中。在电源管理电路中，它常用于输入/输出滤波、去耦和储能，以提高电源的稳定性和降低噪声。在 DC-DC 转换器和稳压电路中，该电容器可用于平滑输出电压，减少纹波干扰。
　　在消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器被用于电源去耦、信号滤波和时钟电路的稳定。其小型封装和高可靠性使其成为这些高密度 PCB 设计中的理想选择。
　　工业控制系统和汽车电子设备中也常使用该电容器，特别是在高温环境下工作的场合。其 -55°C 至 +125°C 的宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行。此外，在射频（RF）和通信设备中，该电容器也可用于中频滤波和信号耦合，尽管其 Z5U 特性不如 C0G 或 X7R 稳定，但在成本敏感的应用中仍具有竞争力。
　　由于其无极性设计和良好的抗电压波动能力，该电容器也常用于 AC 耦合电路和定时电路中，确保信号传输的稳定性。

Kemet KHC101E335Z55R0T00 可以使用以下替代型号，如 TDK 的 C3225X5R1H335K160AC 或 Murata 的 GRM32ER61C335KA12L。这些型号在电容值、容差、额定电压和封装尺寸上相似，适用于大多数相同的应用场景。需要注意的是，在替代过程中应确保温度特性和工作温度范围满足设计要求。此外，Yageo 的 UMK325B7105KG-T 也是一个潜在的替代选项，但需确认其电气参数和物理尺寸是否符合具体电路设计需求。