KHB9D5N20P 时间：2025/9/12 9:48:28 阅读：17

KHB9D5N20P 是一款功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于高电压和高电流的应用。该器件采用先进的硅技术制造，具备较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于电源转换、马达控制和工业自动化等领域。KHB9D5N20P 属于N沟道增强型MOSFET，具有耐高压、大电流承载能力和优良的热稳定性。其封装形式通常为TO-220或类似的高功率封装，便于散热并确保在高负载下的稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.55Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KHB9D5N20P MOSFET 具有多个显著特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（200V）允许其在多种电源管理系统中使用，包括DC-DC转换器、逆变器和马达驱动器。其次，该器件的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，KHB9D5N20P 的大电流承载能力（9A）使其能够驱动高功率负载，如工业电机和电源模块。
　　该MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠运行，适合在恶劣环境条件下使用。其TO-220封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度，确保在高振动环境中的稳定性。此外，KHB9D5N20P 的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅极电压下实现快速开关，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。这些特性使其成为高性能功率电子设备的理想选择。

应用

KHB9D5N20P MOSFET 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。其主要用途包括电源转换器（如AC-DC和DC-DC转换器）、马达控制电路、逆变器、工业自动化设备以及高功率LED驱动器。在电源管理领域，KHB9D5N20P 可用于高效开关电源的设计，提高能量转换效率并减少热量产生。在马达控制方面，该器件可用于直流马达驱动和步进马达控制器，提供稳定的电流控制和高效的功率传输。此外，KHB9D5N20P 还适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电池管理系统等应用。由于其高耐压能力和良好的热稳定性，该MOSFET 也适合用于恶劣环境中的工业控制设备和自动化系统。