KHB7D5N60F1 时间：2025/9/12 12:15:41 阅读：12

KHB7D5N60F1 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于诸如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等高效率功率电路中。KHB7D5N60F1 采用 TO-220F 封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.5Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

KHB7D5N60F1 MOSFET 具备多项优异特性，使其在功率电子领域中表现卓越。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高压开关电路，如开关电源（SMPS）和 AC-DC 转换器。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on) ≤1.5Ω），从而降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，KHB7D5N60F1 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了器件的热稳定性和可靠性，适用于高负载条件下的持续运行。
　　KHB7D5N60F1 还具备良好的抗雪崩能力，可在瞬态过压条件下提供一定的保护功能。其 ±30V 的栅极电压耐受能力增强了其在高频开关应用中的适应性，减少了栅极驱动电路的设计限制。TO-220F 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功耗条件下的稳定性。
　　在实际应用中，该 MOSFET 可用于高效电源转换、马达控制、LED 照明驱动、电池管理系统等场景。其优异的开关特性和热性能使其成为工业电源、消费电子产品和汽车电子系统中的理想选择。

应用

KHB7D5N60F1 主要应用于各类功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、电池管理系统（BMS）、电动工具、家电控制板、电机驱动器以及工业自动化设备等。其高耐压、低导通电阻和良好散热性能，使其在需要高效能、高可靠性的电源管理系统中表现出色。