时间：2025/12/28 15:44:13
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KHB7D0N65是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高电压应用。这种类型的器件设计用于在较高的电压下工作，同时提供较低的导通电阻，以提高效率和性能。KHB7D0N65的具体参数和特性使其适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：7A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（具体值可能因温度和制造工艺而异）
栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.0V至4.0V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-220或D2PAK（具体封装可能因制造商而异）
KHB7D0N65具有高耐压能力，能够在650V的漏源电压下稳定工作，适合高压电路设计。该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，它还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下正常运行。其栅极驱动特性较为稳定，能够适应多种驱动电路设计，从而提高系统的灵活性和稳定性。该MOSFET还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高响应速度。在过载或短路情况下，该器件具备一定的抗冲击能力，有助于保护电路的安全运行。
KHB7D0N65广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明系统、逆变器以及工业自动化设备中。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。此外，在消费类电子产品中，如电视电源和适配器中也有广泛应用。
KHB7D0N65A
KHB7D0N65F
KHB7D0N65S
