KHB4D5N60P 时间：2025/5/24 9:44:03 阅读：19

KHB4D5N60P是一种基于MOSFET技术的功率场效应晶体管，主要用于高频开关应用。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
　　其设计优化了开关性能和热稳定性，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：4.9A
　　导通电阻：1.3Ω
　　栅极电荷：27nC
　　输入电容：890pF
　　总功耗：2.5W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

KHB4D5N60P具有高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，这使其非常适合高压环境下的应用。同时，其低导通电阻（1.3Ω）显著降低了传导损耗，从而提升了整体效率。
　　此外，该器件的栅极电荷较低（27nC），有助于实现快速开关，减少开关损耗。输入电容为890pF，确保了稳定的动态性能。
　　KHB4D5N60P还具备出色的热稳定性和可靠性，在高温条件下也能保持良好的性能表现。其TO-252封装形式不仅紧凑，而且易于集成到各种电路设计中。

应用

KHB4D5N60P广泛应用于多种领域，包括但不限于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和工业控制系统。
　　在开关电源中，它可以用作主开关管或同步整流管，提供高效且可靠的电力转换功能。对于DC-DC转换器，其快速开关特性和低导通电阻能够帮助实现高效的电压调节。
　　在逆变器和电机驱动器中，KHB4D5N60P可以用于控制功率输出，确保精确的速度和扭矩调节。同时，在工业控制领域，该器件可用于保护电路和信号处理等场景。