类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

KHB4D5N60F-U/H具备多项优良特性，使其在高压应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）确保了在高压环境下的稳定运行。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的工作温度，延长器件的使用寿命。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用。其内部结构优化了开关损耗，从而提高了整体系统性能。同时，KHB4D5N60F-U/H具有较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持稳定运行，减少因过载或瞬态电压引起的故障率。这使其在电源管理和电机驱动等应用中表现出色。
　　此外，KHB4D5N60F-U/H的栅极驱动要求较低，可在较低的栅极电压下实现完全导通，简化了驱动电路的设计，并降低了整体功耗。其良好的热稳定性和过热保护能力也使其在高温环境下具有可靠的性能。

KHB4D5N60F-U/H广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流器，以提高能效和减小电源体积。在电机控制应用中，它可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转和调速功能。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等新能源应用。在这些应用中，KHB4D5N60F-U/H的高效能和可靠性使其成为理想的选择。由于其良好的热管理和抗干扰能力，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等。

KHB4D5N60F-U/H的替代型号包括IRF840、FQP12N60C和STP4NK60Z。这些型号在电气特性和封装形式上与KHB4D5N60F-U/H相似，可作为备选方案用于不同的应用中。