KHB4D5N60 时间：2025/9/12 17:52:42 阅读：16

KHB4D5N60 是一款由Korea Electronics（KEC）公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点，适合于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：600V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

KHB4D5N60具有优异的开关性能和导通特性，适用于中高功率应用。其高耐压能力（600V VDS）使其在高压系统中表现出色，同时具备较低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，确保了器件的高稳定性和长寿命。此外，KHB4D5N60的封装形式通常为TO-220或类似的散热型封装，便于在电路板上安装并有效散热。
　　其栅极驱动特性较为稳定，能在较宽的VGS范围内正常工作，适用于多种驱动电路设计。KHB4D5N60还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于对可靠性有较高要求的应用场景。

应用

KHB4D5N60 主要用于以下类型的电子设备和系统中：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件；
　　2. DC-DC升压或降压转换器，如Boost、Buck电路；
　　3. 电机驱动和控制电路，如无刷直流电机驱动器；
　　4. 照明设备中的电子镇流器或LED驱动电源；
　　5. 家用电器和工业设备中的电源开关控制；
　　6. 高压负载开关和继电器替代应用。