KHB3D0N70F 时间：2025/12/28 14:41:01 阅读：13

KHB3D0N70F 是一款由 Kinetic Technologies（Kionix 或相关子公司）生产的电子元器件，通常用于电源管理或功率开关应用。该器件是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：70V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.0mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK（TO-263）
　　功率耗散（PD）：120W

特性

KHB3D0N70F MOSFET具有多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高能效，特别适用于高电流应用场景。该器件的最大漏极电流可达30A，支持在较高负载条件下稳定工作。
　　其次，该MOSFET具备良好的热稳定性和高功率耗散能力（120W），使其在高功率密度设计中表现出色。其D2PAK（TO-263）封装形式不仅提供了优良的散热性能，而且支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　此外，该器件支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），具有较强的抗干扰能力，适用于多种控制电路。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于工业级和汽车电子应用环境，如车载电源系统、工业电机驱动器和高效能DC-DC转换器。
　　在制造工艺方面，KHB3D0N70F采用了先进的硅基技术，优化了开关性能和导通损耗，确保了器件在高频开关应用中的稳定性。同时，该器件具有较低的开关损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。

应用

KHB3D0N70F MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统、光伏逆变器、汽车电子和工业自动化设备。在电源管理系统中，它可用于高效能同步整流和负载控制。在DC-DC转换器中，该器件能够支持高频率开关操作，提升整体能效。此外，在电机驱动电路中，该MOSFET可用于控制电机的启停和方向，具有较高的可靠性和响应速度。对于汽车电子应用，该器件的宽工作温度范围和高可靠性使其适用于车载充电系统、电池管理系统和电动工具等场景。