KHB2D0N60F 时间：2025/9/12 13:13:57 阅读：14

KHB2D0N60F 是一款由KIA Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高效率电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大60mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

特性

KHB2D0N60F 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)）特性，这可以显著降低在高电流工作条件下的导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承受能力，最大漏极电流可达20A，适合用于高功率密度设计。其60V的漏-源击穿电压也为设计者提供了良好的安全裕量。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在高功率应用中有效散发热量，从而提高器件的可靠性和使用寿命。KHB2D0N60F还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围元件尺寸并提升系统效率。
　　其栅极驱动电压范围宽广（±20V），使得该MOSFET可以兼容多种驱动电路设计，同时也具备较强的抗干扰能力。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境要求较高的应用场景。

应用

KHB2D0N60F 广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电管理电路、负载开关控制以及电机驱动电路。其高效率和高可靠性的特性也使其成为工业自动化设备、通信电源、UPS不间断电源以及车载电源系统中的理想选择。此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动、电源适配器以及智能电表等消费类和工业类电子产品。