KHB019N20F1-U/P 时间：2025/9/12 8:46:15 阅读：7

KHB019N20F1-U/P 是一款由Kintronics（金科）公司推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性以及优异的热性能。它适用于各种高功率和高频应用，如电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器及电动工具等。该MOSFET封装形式为TO-220，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：19A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：≤0.16Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：83W

特性

KHB019N20F1-U/P 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达200V的漏源电压，适用于中高压功率应用。TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该MOSFET具有高耐压、快速开关速度以及低栅极电荷（Qg），这些特性使其在高频开关电路中表现出色，有助于提高整体系统效率并减小电路尺寸。内置的雪崩能量保护功能增强了器件的可靠性和抗过载能力。
　　该MOSFET还具备出色的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。其栅极驱动要求较低，易于与常见的控制IC或驱动电路匹配。此外，KHB019N20F1-U/P 通过了多项国际认证，适用于工业级和汽车电子系统，具有较高的市场接受度和应用广泛性。

应用

KHB019N20F1-U/P 主要用于需要高电压和高电流能力的功率转换系统中。典型应用包括AC-DC和DC-DC电源适配器、电动工具控制器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动、电焊机、充电器及智能电网设备等高可靠性应用场景。